X'inhu l-fluss tal-proċess taċ-ċelloli Topcon

Tindif u Tessut: Wara li l-wejfer tas-silikon jinqata ', it-tarf tiegħu jkun bil-ħsara, l-istruttura tal-kannizzata tas-silikon tinqered, u l-wiċċ huwa aggravat serjament. L-iskop ewlieni tat-tindif u t-tessut huwa li titneħħa l-ħsara fil-wiċċ u tifforma struttura ta 'qtugħ tad-dawl tal-piramida tal-wiċċ biex iżżid l-assorbiment tad-dawl u ttejjeb il-ħajja tal-minoranza.
Proċess ta 'Diffużjoni tal-Boron: Il-funzjoni ewlenija hija li tipprepara junctions PN. Minħabba s-solubilità solida baxxa tal-boron fis-silikon, temperatura għolja u ħin itwal huma meħtieġa għad-diffużjoni. Id-diffużjoni tal-boron ġeneralment titlesta f'temperatura ogħla, li taqbeż l-1000 grad, u l-ħin taċ-ċiklu tad-diffużjoni tal-boron huwa 150 minuta meta mqabbel maċ-ċiklu tal-minuta 102- meħtieġ għad-diffużjoni tal-fosfru.
Proċess ta 'doping: Ifforma żona doped ħafna biex ittejjeb l-effiċjenza tal-konverżjoni fotoelettrika. Topcon Cells sovrapposti bit-teknoloġija SE jistgħu teoretikament jiksbu żieda fl-effiċjenza ta '{{0}}. 5%, u fil-produzzjoni attwali tal-massa, tista' tikseb żieda fl-effiċjenza ta '0. 2 ~ 0.4%. Il-proċess tad-doping jista 'juża lejżers biex jitkaxkru jew id-doping. Il-metodi speċifiċi jinkludu żewġ diffużjonijiet tal-boron + grooving bil-lejżer, żewġ diffużjonijiet tal-boron + doping bil-lejżer, u doping wieħed tal-laser boron.
Proċess ta 'Tfittxija‌: Il-funzjoni ewlenija hija li tneħħi l-BSG u l-ġonta lura. Il-proċess ta 'diffużjoni jifforma saff ta' diffużjoni fuq il-wiċċ u l-periferija tal-wejfer tas-silikon. Is-saff ta 'diffużjoni periferali huwa suxxettibbli għal ċirkwit qasir, u s-saff ta' diffużjoni tal-wiċċ jaffettwa l-passivazzjoni sussegwenti, u għalhekk jeħtieġ li jitneħħa.
‌Preparazzjoni tas-saff tal-ossidu tal-tunnellar u s-saff tal-polysilicon: iddepożita saff ta 'ossidu 1-2 NM fuq wara, u mbagħad iddepożita saff tal-polysilicon 60-100 NM biex tifforma struttura ta' passivazzjoni. Ir-rotot ewlenin jinkludu LPCVD, PECVD, u PVD, bl-LPCVD huwa l-metodu ewlieni fil-preżent.
Preparazzjoni ta 'film kontra r-riflessjoni ta' wara: Ipprepara saff ta 'film ta' passivazzjoni kontra r-riflessjoni fuq wara tal-batterija biex iżżid l-assorbiment tad-dawl. Fl-istess ħin, l-atomi ta 'l-idroġenu fil-proċess ta' formazzjoni ta 'film SINX għandhom effett ta' passivazzjoni fuq il-wejfer tas-silikon.
Il-plating ossidu tal-aluminju ‌front: Iddepożita saff tal-film tal-ossidu tal-aluminju fuq quddiem tal-wejfer tas-silikon, u jifforma effett ta 'passivazzjoni ta' quddiem flimkien ma 'saffi oħra tal-films.
Il-preparazzjoni ta 'film anti-riflessjoni ta' quddiem‌: il-film kontra r-riflessjoni ta 'quddiem u d-dahar jaħdmu flimkien biex iżidu l-assorbiment tad-dawl tax-xemx, inaqqsu t-telf ottiku, iżidu l-fotokorri, u b'hekk itejbu l-effiċjenza tal-konverżjoni.
Vantaġġi Tekniċi taċ-Ċellula Topcon u Prospetti ta 'Applikazzjoni: Iċ-ċelloli Topcon għandhom il-vantaġġi ta' attenwazzjoni baxxa, bifacialità għolja, u koeffiċjent ta 'temperatura baxxa. Il-proċess ta 'manifattura tiegħu huwa simili ħafna għaċ-ċelloli solari PERC / PERT, u l-manifatturi għandhom bżonn jagħmlu biss investiment żgħir biex jaġġornaw il-linji ta' produzzjoni eżistenti. Topcon Cell Technology għandha l-potenzjal li tiżviluppa malajr u tista 'tokkupa post fost il-manifatturi tal-moduli fotovoltajċi PERC / PERT eżistenti fis-suq.